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半导体工艺试卷及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种方法是目前工业上制备大直径单晶硅最常用的技术？

A.区熔法（FZ）B.直拉法（CZ）C.气相沉积法D.布里奇曼法

2.热氧化过程中，当氧化层厚度超过1μm时，氧化速率主要受哪种机制控制？

A.表面反应控制B.扩散控制C.温度控制D.压力控制

3.正性光刻胶在曝光后，曝光区域的溶解性会：

A.增强B.减弱C.不变D.先增强后减弱

4.刻蚀工艺中，选择比（Selectivity）是指：

A.刻蚀速率与时间的比值B.目标材料刻蚀速率与掩膜材料刻蚀速率的比值

C.刻蚀深度与横向腐蚀宽度的比值D.刻蚀后表面粗糙度与初始粗糙度的比值

5.扩散工艺中，当杂质在硅中的固溶度超过其平衡浓度时，会发生：

A.替位式扩散B.间隙式扩散C.沉淀D.反型

6.离子注入后，硅片需要进行退火处理，主要目的是：

A.去除表面氧化层B.修复晶格损伤并激活杂质

C.提高表面平整度D.增强导电性

7.以下哪种化学气相沉积（CVD）技术需要在等离子体环境下进行？

A.LPCVD（低压CVD）B.APCVD（常压CVD）

C.PECVD（等离子体增强CV