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半导体前道原子层沉积温度窗口：前驱体热分解温度与设备加热台温度均匀性对薄膜纯度竞争

摘要

本报告聚焦半导体前道原子层沉积（ALD）工艺中，前驱体热分解温度与设备加热台温度均匀性对薄膜纯度的竞争与协同影响。分析对象为全球ALD设备巨头ASM与东京电子（TEL）。报告系统剖析了在Al2O3与HfO2沉积过程中，三甲基铝（TMA）与四（乙基甲基氨基）铪（TEMAHf）的热分解特性，以及多区加热控制技术对晶圆温度分布的干预机制。

核心发现表明，随着先进制程向亚3纳米演进，薄膜杂质容忍度急剧下降。前驱体的热分解温度决定了ALD工艺温度窗口的上限，而设备加热台的径向温度均匀性直接决定了薄