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LHB CMOS 1M 128K×8 MROM特性与引脚布局.pdfVIP

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  • 2026-08-11 发布于北京
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LHB CMOS 1M 128K×8 MROM特性与引脚布局.pdf

    LH531000BCMOS1M(128K8)MROM

    特性描述

    •131,072单词8位组织LH531000B是一种掩模编程的ROM，容量为

    131,0728位。它采用硅栅CMOS工艺技术制造。

    •）

    •低功耗：工作模式：192.5毫瓦

    引脚连接

    （最大值）待机模式：550瓦（最

    大值）

    •可编程的CE/OE/OE

    •静态操作

    VCC

    •与TTL兼容的I/OA14

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