高性能低压功率MOSFET混合华夫布局技术研究.pdfVIP

高性能低压功率MOSFET25μm标准CMOS工的混合华夫布局结构

AbrahamYoo*，MarianChang，OlivierTrescases，WaiTungNg*材料科学与工程系，多伦多大学，184

CollegeStreet，多伦多，安大略省，M5S3E4电气与计算机工程系，多伦多大学，10King’sCollegeRoad，多

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伦多，安大略省，M5S3G4电子邮件:[tkyoo@vrg.utoronto.ca],[ngwt@utoronto.ca]

本文了一种低压CMOS功率MOSFET布局技术，该技术实现在0.25μm、5层层的标准CMOS工

艺中，适用于多兆赫集成开关模式电源。所混合HW）布局技术将MOSFET指状排列在一

个方形网格（或饼）结构中。设计目的是在对角线源/漏金属宽度和有源器件面积之间权衡，从

而更有效地优化开关损耗和导通损耗。与传统的多指（MF）布局相比，HW布局的总体导通电阻降低了

30%，总栅极电荷减少了3.6倍，适用于额定电流为1A的CMOS器件。使用HW推挽输出级的集成

DC‑DC转换器在超过多兆赫的开关频