100V 12A N沟道PowerTrench®MOSFET特性与应用.pdfVIP

FDPF680N10TN沟道PowerTrench®

MOSFET100V,12A,68mΩ

特性

•RDS(导通)= 54mΩ(典型值)@VGS= 10V,ID= 6A

•快速开关速度

•低栅极电荷

•高性能沟槽技术实现极低的RDS(导通)RDS(导通)∘

•高功率和大电流处理能力

•符合RoHS

描述此N沟道MOSFET

采用FairchildSemiconductor®先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺

经过优化，旨在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。

应用

•消费类电器

•LCD/LED/PDP电视

•同步整流

•不间断电源

•微型能逆变器

FDPF680N10TN-Channel

PowerTrench®MOSFET100V,12A,68

mΩ

Features

•R  54mΩ(Typ.)@V  10V, I  6A

DS(on)GSD

•FastSwitchingSpeed

•LoweCharge

•HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyL