CN119584590A 氧化镓基mosfet器件及其制备方法 （杭州富加镓业科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584590A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411711705.4

(22)申请日2024.11.27

(71)申请人杭州富加镓业科技有限公司

地址311421浙江省杭州市富阳区大源镇

塘子畈街200号孵化楼A幢7楼701室

(72)发明人陈端阳齐红基李小丽

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事

务所(普通合伙)44268

专利代理师刘文求

(51)Int.Cl.

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)