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硅基氮化镓外延中的缓冲层应力工程：突破1200V垂直击穿电压的复合缓冲层设计

摘要

随着宽禁带半导体在电力电子、射频通信等领域的渗透加速，硅基氮化镓（GaN-on-Si）凭借大尺寸、低成本优势成为产业竞争焦点。然而，硅衬底与GaN间高达17%的晶格失配与54%的热失配，导致外延层中位错密度居高不下，垂直击穿电压长期受限于650V以下，难以进入1200V级高压功率器件市场。本报告聚焦硅基氮化镓外延的核心瓶颈——缓冲层应力工程，系统分析AlGaN/GaN超晶格与渐变AlGaN层复合结构对位错过滤与应力平衡的协同机制，并揭示其对垂直漏电的抑制机理。

研究发现，单一超晶格或渐变层均无法同时实现高击穿与低翘曲，而复合缓冲层设计通过“超晶格层-应力过渡层-渐变层”的立体架构，可将螺位错密度降至10?cm?2量级，并使垂直击穿电压突破1200V。2023年全球GaN-on-Si外延片市场规模约2.8亿美元，预计至2028年将达8.5亿美元，年复合增长率约25%。

报告第一章界定研究框架与核心术语；第二章分析政策与产业环境；第三章剖析产业链与市场现状，揭示缓冲层技术在价值分布中的关键地位；第四章对比国内外主要外延厂商的竞争格局与缓冲层技术路线；第五章从器件厂商需求出发，分析高耐压、低漏电外延片的需求痛点；第六章预测缓冲层技术演进趋势与市场规模；第七章评估投资机会与风险；第八章给出