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N沟道增强型场效应晶体管NDS7002A特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-08-12 发布于北京
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N沟道增强型场效应晶体管NDS7002A特性与应用.pdf

    1992年7月

    BS270/NDS7002AN沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些N沟道增强型场效应晶体管采用国家的度第Y高效的度单元设计（接近3百万/平方英寸）

    三代DMOS技术制造。这些产品设计用于最小化导通电阻，Y电压控制的小信号开关Y坚固Y高饱和电流Y

    坚固可靠的性能和快速开关。它们可以轻松应用于大多低RDS(on)

    数需要高达400mA直流电流的应用，并能高达2A的脉

    冲电流。该产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺

    服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

    TL/G/11380–1TL/G/11380–2

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