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公司半导体芯片制造工操作考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.半导体芯片制造中，用于形成精细图案的核心工艺是（）

A.氧化B.光刻C.扩散D.离子注入

2.超净间（洁净室）的主要控制指标不包括（）

A.温度B.湿度C.颗粒浓度D.二氧化碳浓度

3.光刻工艺中，用于将掩膜版图案转移到硅片上的关键材料是（）

A.光刻胶B.氮化硅C.二氧化硅D.多晶硅

4.干法刻蚀与湿法刻蚀的主要区别在于（）

A.刻蚀精度B.刻蚀速率C.是否使用化学溶液D.是否需要真空环境

5.化学气相沉积（CVD）工艺的核心是（）

A.物理吸附B.化学反应生成薄膜C.离子轰击沉积D.热蒸发沉积

6.硅片清洗过程中，SC-1溶液（标准清洗1号）的主要成分是（）

A.H2SO4+H2O2B.NH4OH+H2O2+H2OC.HCl+H2O2+H2OD.HF+H2O

7.衡量刻蚀工艺对不同材料选择性的参数是（）

A.刻蚀速率B.选择比C.均匀性D.各向异性比

8.离子注入后，用于修复硅片晶格损伤的工艺是（）

A.氧化B.退火C.光刻D.化学机械抛光（CMP）

9.光刻胶按感光特性可分为正性胶和负