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公司半导体芯片制造工理论知识考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20题，40分）

1.半导体芯片制造洁净室中，ISO3级洁净室的最大允许≥0.1μm颗粒数为（）

A.1000个/m3

B.100个/m3

C.10个/m3

D.1个/m3

2.光刻工艺中，正性光刻胶曝光后与显影液的反应特性为（）

A.曝光区域溶解，未曝光区域保留

B.未曝光区域溶解，曝光区域保留

C.全部溶解

D.全部保留

3.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，最显著的优势是（）

A.成本更低

B.各向异性更好

C.工艺速度更快

D.对基底损伤更小

4.化学气相沉积（CVD）中，通过等离子体增强反应活性的工艺缩写是（）

A.LPCVD

B.APCVD

C.PECVD

D.MOCVD

5.离子注入工艺中，决定杂质穿透深度的主要参数是（）

A.注入剂量

B.注入能量

C.靶材温度

D.离子种类

6.晶圆表面自然氧化层的主要成分是（）

A.SiN

B.SiO?

C.SiC

D.Si?N?

7.衡量光刻工艺分辨率的关键公式是R=k?λ/NA，其中NA代表（）

A.光源波长

B.工艺因子

C.数值孔径

D.