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碳化硅模块内部互连技术革新对降低寄生参数与提升开关频率的影响

摘要

本报告聚焦碳化硅（SiC）功率模块内部互连技术这一关键领域，系统研究引线键合与平面互连两大技术路线的差异，及其对模块高频开关性能的深远影响。随着SiC器件在电动汽车、新能源发电等领域的快速渗透，传统封装互连技术已成为制约其高频、高效潜能释放的核心瓶颈。

报告从行业概况出发，首先界定SiC模块封装互连的研究边界，并建立从宏观环境到微观技术的分析框架。宏观环境分析表明，全球能源转型与“双碳”政策为SiC模块提供了强劲需求，而技术环境则凸显了高频化、低损耗的必然趋势。在产业链与市场现状分析中，我们识别出封装互连环节是产业链价值的关键节点，其技术壁垒极高，当前市场由少数头部企业主导。

竞争格局分析显示，以英飞凌、意法半导体为代表的国际巨头正加速从引线键合向平面互连转型，技术路线之争成为竞争分化的核心。国内企业加速追赶，但在核心专利与先进工艺上仍存差距。需求端分析指出，电动汽车牵引逆变器对高功率密度、高可靠性模块的需求极为迫切，是推动互连技术革新的最大驱动力。

核心发现表明，以铝带键合、铜带键合、以及烧结银互连为代表的平面互连方案，相较于传统铝线键合，可显著降低寄生电感，提升开关频率，并改善模块散热与可靠性。报告预测，至2028年，平面互连技术将在高端SiC模块中占据主导地位，其市场规模将随着SiC器件整体