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- 2026-08-13 发布于江苏
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VLSI测试方法学和可测性设计
教师:吴宁
南京航空航天大学信息科学与技术学院电子工程系
第11章存储器测试
第11章存储器测试
第11章存储器测试·11.1简介
·11.2存储器电路模型
·11.3存储器的缺陷和故障模型·11.4存储器测试类型
·11.5存储器测试算法
·11.6存储器测试方法
·11.7存储器的冗余和修复
南京航空航天大学信息科学与技术学院电子工程系
第11章存储器测试·11.1简介
1.存储器是电子产品的关键部分;
2.存储器芯片的密度和复杂度日益提高;
3.存储器结构具有规律性;
4.存储单元类型多样化。
图11.1存储单元在芯片面积中所占的比例
南京航空航天大学信息科学与技术学院电子工程系
100%
90%
80%
70%
60%
50%
40%
30%
□%AreaMemory
20%
10%
0%
本章研究RAM的测试结构和方法。首先研究
RAM的缺陷和故障模型,包括类似于组合和时序电路所用的固定型和桥接型故障模型,另外还有描述RAM失效的更好模型,如耦合故障(CF)模型、图形敏感故障模型等。接着研究RAM测试方法
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