第11章 存储器测试.pptxVIP

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  • 2026-08-13 发布于江苏
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VLSI测试方法学和可测性设计

教师:吴宁

南京航空航天大学信息科学与技术学院电子工程系

第11章存储器测试

第11章存储器测试

第11章存储器测试·11.1简介

·11.2存储器电路模型

·11.3存储器的缺陷和故障模型·11.4存储器测试类型

·11.5存储器测试算法

·11.6存储器测试方法

·11.7存储器的冗余和修复

南京航空航天大学信息科学与技术学院电子工程系

第11章存储器测试·11.1简介

1.存储器是电子产品的关键部分;

2.存储器芯片的密度和复杂度日益提高;

3.存储器结构具有规律性;

4.存储单元类型多样化。

图11.1存储单元在芯片面积中所占的比例

南京航空航天大学信息科学与技术学院电子工程系

100%

90%

80%

70%

60%

50%

40%

30%

□%AreaMemory

20%

10%

0%

本章研究RAM的测试结构和方法。首先研究

RAM的缺陷和故障模型,包括类似于组合和时序电路所用的固定型和桥接型故障模型,另外还有描述RAM失效的更好模型,如耦合故障(CF)模型、图形敏感故障模型等。接着研究RAM测试方法

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