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薄膜热电偶实验操作规范

薄膜热电偶实验操作规范

一（1）薄膜热电偶的制备工艺直接影响其测温性能，实验操作前必须严格规范基片清洗流程。基片通常选用氧化铝陶瓷或单晶硅片，首先将基片浸泡在丙酮溶液中超声清洗10分钟以去除油污，随后转移至无水乙醇中超声清洗5分钟，再用去离子水反复冲洗三次，最后用高纯氮气吹干表面水分。清洗后的基片需立即放入真空腔室中，避免暴露在空气中超过30分钟以防止二次污染。基片表面粗糙度应控制在Ra≤0.1微米，若粗糙度过大会导致薄膜附着力下降，影响热电偶长期稳定性。清洗过程中需佩戴无粉丁腈手套，严禁裸手接触基片表面，每次超声清洗后需更换清洗液以避免交叉污染。清洗完成的基片需在光