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摩尔测试题质量

一、单选题（每题2分，共20分）

1.摩尔定律描述了半导体技术发展的趋势，其表述为（）（2分）

A.每个晶体管的成本每两年翻一番

B.每个晶体管的成本每两年减半

C.每个晶体管的成本每18个月减半

D.每个晶体管的性能每18个月翻一番

【答案】C

【解析】摩尔定律最初由戈登·摩尔提出，其表述为集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。

2.在摩尔测试中，若某半导体器件的漏电流为1nA，其单位转换成微安（μA）为（）（2分）

A.0.001μAB.0.01μAC.1μAD.1000μA

【答案】B

【解析】1nA等于0.000001A，转换成μA为0.01μA。

3.摩尔测试中，常用的晶体管参数不包括（）（2分）

A.集成电路密度B.漏电流C.功耗D.量子效率

【答案】D

【解析】量子效率通常用于描述光电器件，而不是晶体管参数。

4.摩尔测试中，若某芯片的晶体管密度为100亿个/cm2，其单位转换成个/mm2为（）（2分）

A.10亿个/mm2B.100亿个/mm2C.1000亿个/mm2D.1万亿个/mm2

【答案】A

【解析】1cm等于10mm，因此100亿个/cm2等于10亿个/mm2。

5.摩尔定律的技术限制之一是（）（2分）

A.材料成本B.制造工艺复杂度C.量子隧穿效应D.以上都是

【答案】D

【解析】摩尔定律的技术