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2026年各国芯片法案对核心材料研发的激励效果比较

摘要

本报告聚焦2026年美国、欧盟、日本、韩国及中国五大经济体芯片法案中，针对半导体核心材料——尤其是光刻胶——研发补贴政策的激励效果比较。在全球半导体产业链重构的关键期，核心材料自主化已成为地缘技术竞争的战略制高点。

核心发现表明，各国法案在补贴强度、政策工具组合与执行效率上呈现显著分化。美国CHIPS法案以大规模直接拨款与税收抵免为特征，侧重前端制造与设备，对材料研发的激励存在“后端溢出”效应。欧盟《芯片法案》通过“欧洲共同利益重要项目”机制，在材料领域构建了跨国协作网络，但决策流程冗长。日本以“特定高度情报通信技术活用系统开发供给导入促进法”为框架，依托JSR、信越化学等龙头企业的垂直整合优势，补贴精准度最高。韩国K-半导体战略以企业投资匹配补贴为核心，大企业主导特征明显。中国通过国家集成电路产业投资基金与地方专项补贴，在光刻胶国产化上形成了全品类覆盖的追赶态势。

关键结论是，日本在ArF/EUV光刻胶领域的先发优势将因法案的精准激励而进一步巩固；中国在KrF与ArF光刻胶的国产化率预计在2026年实现突破性增长，但EUV光刻胶仍存代际差距；美欧在基础研究与材料创新平台建设上投入巨大，其长期效应不容低估。报告建议各国需在补贴精准性、产业链协同与人才培养三个维度上优化政策设计，以应对日益复杂的国际竞争格局。