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物理气相沉积（PVD）设备在金属互连工艺中的技术迭代方向

摘要

本报告聚焦半导体制造刻蚀与薄膜沉积领域中，物理气相沉积（PVD）设备在铜互连阻挡层沉积应用的技术迭代路径与市场格局。研究范围覆盖全球半导体PVD设备市场，重点分析磁控溅射技术在先进逻辑芯片铜互连工艺中的演进方向，时间跨度以2018-2023年历史数据为基础，延伸至2028年中期预测。

核心发现表明，随着集成电路制程节点向5nm以下持续推进，铜互连阻挡层薄膜厚度要求已逼近1nm量级，传统钽/氮化钽（Ta/TaN）叠层PVD工艺面临台阶覆盖率与薄膜连续性双重极限挑战。磁控溅射设备正经历从平面靶材向旋转靶材、从直流溅射