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TFT-LCD阵列工岗位工艺考试试卷及答案

TFT-LCD阵列工岗位工艺考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.TFT-LCD阵列工艺中，栅极常用的金属材料组合是______。

2.光刻工序的核心步骤包括涂胶、曝光、______。

3.刻蚀工艺分为干法刻蚀和______。

4.PECVD沉积薄膜时常用的硅源气体是______。

5.阵列工艺使用的基板类型主要是______。

6.清洗工序中，SC1溶液由氨水、双氧水和______组成。

7.阵列基板的主要功能层包括栅极、有源层、源漏极和______。

8.光刻胶根据曝光特性分为正胶和______。

9.刻蚀完成后去除光刻胶的工序称为______。

10.薄膜厚度的常用单位是______。

填空题答案

1.Mo/Al/Mo2.显影3.湿法刻蚀4.SiH45.玻璃基板6.去离子水7.钝化层8.负胶9.去胶10.nm

单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪种材料是阵列工艺中有源层的常用材料？（）

A.CuB.a-SiC.SiO2D.Mo

2.光刻中曝光的主要目的是（）

A.去除光刻胶B.转移掩膜图案C.增强附着力D.固化薄膜

3.干法刻蚀常用的气体类型是（）

A.氧气B.氮气C.CF4D.氢气

4.PECVD的中文全称是（）

A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.等离子体增强化学气相沉积D.原子层沉积

5.清洗工序中SC1