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硅光晶圆薄膜铌酸锂键合质量检测指南标准化发展报告

Silicon-basedOptoelectronicWaferBondingInspectionRequirementsandMethods—Thin-filmLithiumNiobateBonding:AStandardizationDevelopmentReport

摘要

随着硅基光电子集成技术的迅猛发展，薄膜铌酸锂（Thin-filmLithiumNiobate,TFLN）凭借其优异的电光效应、低传输损耗及宽透明窗口等特性，已成为下一代高速光调制器、光开关及量子光电器件的核心材料。然而，薄膜铌酸锂与硅基晶圆的异质键合质量直接决定了器件性能与可靠性，当前行业内缺乏统一、规范的键合质量检测标准，制约了产业链的规模化发展。本文基于工业和信息化部2025年第二批行业标准制修订计划项目（项目编号：2025-2050T-SJ），系统阐述了《硅光晶圆薄膜铌酸锂键合质量检测指南》标准的制定背景、技术内容与行业意义。该标准由北京燕东微电子科技有限公司联合华中科技大学、中国电子技术标准化研究院及中国科学院微电子研究所共同起草，旨在建立涵盖键合界面缺陷检测、键合强度评估、光学性能表征及可靠性验证的全流程质量检测体系。本报告深入分析了标准的关键技术指标、检测方法体系及其对推动我国硅基光电子产业链自主可控发展的战