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半导体工艺试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共10题，20分）

1.半导体制造中，直拉法（CZ法）制备单晶硅时，影响晶圆电阻率均匀性的关键因素是（）

A.晶体旋转速度

B.坩埚材料纯度

C.掺杂元素的分凝系数

D.拉晶速率

2.离子注入工艺中，通过调节下列哪个参数可以精确控制掺杂浓度？（）

A.注入能量

B.束流强度

C.扫描频率

D.倾斜角度

3.下列属于化学气相沉积（CVD）技术特点的是（）

A.沉积速率快，薄膜致密性差

B.低温工艺，适用于热敏感材料

C.仅适用于金属薄膜沉积

D.需要高真空环境

4.光刻工艺中，提高分辨率的主要途径是（）

A.增大曝光波长

B.减小数值孔径（NA）

C.采用相移掩膜（PSM）

D.增加光刻胶厚度

5.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，其主要优势是（）

A.刻蚀速率快

B.各向异性好，侧壁陡直

C.选择性高

D.成本低

6.下列属于先进封装技术的是（）

A.DIP封装