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微电子器件试题及答案

一、选择题（30分）

1.在PN结中，当外加正向电压时，耗尽层宽度将如何变化？

A.增宽

B.变窄

C.不变

D.先增宽后变窄

答案：B。当PN结外加正向电压时，外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，导致耗尽层宽度变窄。这有利于多数载流子的扩散运动，形成正向电流。而外加反向电压时，外加电场与内建电场方向相同，增强了内建电场，使耗尽层增宽，阻碍多数载流子的运动，只允许少数载流子通过，形成很小的反向电流。

2.MOSFET的阈值电压主要取决于以下哪个因素？

A.沟道长度

B.栅氧化层厚度

C.衬底掺杂浓度

D.以上都是

答案：D。MOSFET的阈值电压是由多个因素共同决定的，包括栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、栅材料功函数差等。栅氧化层厚度越薄，阈值电压越低；衬底掺杂浓度越高，阈值电压越高；栅材料与硅的功函数差也会影响阈值电压。沟道长度在某些情况下会影响阈值电压，但不是主要因素。

3.双极晶体管（BJT）的电流放大系数β主要取决于：

A.基区宽度

B.发射区掺杂浓度

C.集电区掺杂浓度

D.以上都是

答案：D。双极晶体管的电流放大系数β受多个因素影响。基区宽度越窄，载流子在基区的复合概率越小，β越大；发射区掺杂浓度远高于基区时，发射效率高，β大；集电区掺杂浓度