CN119602611A 一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路及控制方法 （北京亚华博信科技有限责任公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119602611A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411684899.3

(22)申请日2024.11.22

(71)申请人北京亚华博信科技有限责任公司

地址100191北京市海淀区知春路23号第

六层612室

(72)发明人糜彤

(74)专利代理机构深圳科润知识产权代理事务

所(普通合伙)44724

专利代理师刘强强

(51)Int.Cl.

H02M3/335(2006.01)

H02M3/00(2006.01)

H02M1/00(2007.01)

H02M1/08(2006.01)

H02M1/14