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半导体器件习题解析与参考答案.pdf

半导体器件习题解析与参考答案.pdf

    第二章

    1一个硅p－n扩散结在p型一侧为线性缓变结，a=1019cm-4，n型一侧为均匀

    掺杂，杂质浓度为3×1014cm－3，在零偏压下p型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，

    SVTAgmnCZLoxVGSVTS饱和速度模型下IDsatZCoxVvSGSVTAgCZvmSSox

    求零偏压下的总耗尽层宽度、内建电势和最大电场强度。

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