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基于SiC器件的高温气冷堆氦气风机驱动电源在核能制氢中的耐辐照冗余设计趋势预测

摘要

本报告聚焦于碳化硅（SiC）功率器件在第四代核能系统——高温气冷堆（HTGR）氦气风机驱动电源中的应用，特别是其在核能制氢场景下的耐辐照冗余设计趋势。研究周期覆盖2025年至2035年，旨在为高温气冷堆关键辅机电源的国产化替代与可靠性提升提供前瞻性研判。

核心趋势判断表明，SiC器件凭借其宽禁带物理特性，在高温（300°C）与高累积辐照剂量（1Mrad）环境下，载流子寿命控制技术正从缺陷工程向界面态钝化与动态寿命调节演进。预测到2030年，基于国产6英寸SiC衬底的耐辐照专用MOSFET模