原创力文档《电子级超高纯多晶硅痕量杂质检测方法》团体标准
征求意见稿编制说明
一、任务来源
电子级超高纯多晶硅是集成电路制造的基础原料，其纯度须达到接近理想极限的十一个九级别，而极
微量的金属杂质或电活性掺杂元素如硼与磷，都会在后续单晶生长及芯片制程中诱发晶格畸变、改变载流
子浓度或降低栅氧完整性，进而造成器件漏电与良率劣化。随着微电子器件特征尺寸不断缩小至纳米尺度，
业界对原材料本征纯度的容忍窗口急剧收窄，迫使痕量乃至超痕量杂质分析从传统的百万分之一、十亿分
之一水平向万亿分之一乃至更低量级延伸，这使得检
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