《超高阻硅单晶电阻率的测定 直流两探针法编制说明》.doc

《超高阻硅单晶电阻率的测定 直流两探针法编制说明》.doc

超高阻硅单晶电阻率的测定

直流两探针法

编制说明

(征求意见稿)

江苏鑫华半导体科技股份有限公司

2026年7月

一.工作简况(包括任务来源、协作单位、主要工作过程)

1、任务来源

为补齐国内超高阻硅单晶、电子级多晶硅电阻率检测标准空白,规范超高阻区间硅材料电阻率检测方法,解决行业检测方法不统一、数据可比性差的问题,根据团体标准制修订相关工作要求,立项制定《超高阻硅单晶电阻率的测定直流两探针法》CSTM团体标准。本标准为首次制定,旨在拓宽现有直流两探针法电阻率测试量程,建立100Ω·cm~40000Ω·cm超高阻硅材料统一检测规范,完善国内硅材料理化检测标准体系。

2、项目编

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