高压半桥驱动芯片技术参数与应用说明.pdfVIP

国际IOR整流器

IR211

特性

浮动通道设计用于启动操作

全面工作至

+600V

负瞬态电压耐受

dV/dt

免疫

门极驱动电源范围为10到20V

‑

两个通道的欠压锁定

带有下拉电阻的CMOS触发输入

两个通道匹配的延迟

设置死区时间

高侧输出与输入同相

描述

IR2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖于高低侧参考输

出通道的设计，适用于半桥应用。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固

的单片结构。逻辑输入与CMOS输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，

旨在最小化驱动器的交叉传导。了死区时间以避免输出半桥中的直通。

浮动通道可用于驱动高侧配置下的N沟道功率MOSFET或IGBT，该配置可运行至

600伏。

半桥驱动器

产品概述

VOFFSET

最大

600V

IO+/‑

200mA

/

420mA

VOUT

10

‑

20V

启停时

间（典型值）

InternationalIORRectifier

IR211

Features

FloatingchanneldesignedforbootstrapoperationFullyoperationalto+