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080901专业核心课程期末考试试题及详细参考答案

适用专业：080901电子科学与技术

考试时长：120分钟

满分：100分

考试形式：闭卷

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出。

1.半导体硅材料的晶体结构属于（）

A.体心立方结构B.面心立方结构C.金刚石型结构D.六方密排结构

2.本征半导体在室温下的载流子浓度主要取决于（）

A.掺杂浓度B.温度C.晶体缺陷D.外加电压

3.N型半导体中多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.价电子

4.PN结正向导通的核心条件是（）

A.P区接负极、N区接正极B.P区接正极、N区接负极

C.两端加反向电压D.两端加交变电压

5.二极管反向击穿后，只要限制电流不超标，可正常工作的击穿类型是（）

A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.隧道击穿

6.三极管工作在放大区的偏置条件是（）

A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏

C.发射结、集电结均正偏D.发射结、集电结均反偏

7.场效应管相比于三极管，最突出的优势是（）

A.放大倍数高B.输入阻抗高C.响应速度快D.功耗大

8.理想运放的“虚短”特