CN119403139A 一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构及制备方法 (南方科技大学).pdfVIP

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  • 2026-08-22 发布于重庆
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CN119403139A 一种垂直型GaN二极管的多级结终端结构及制备方法 (南方科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403139A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411655712.7

(22)申请日2024.11.19

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区桃源街

道学苑大道1088号

(72)发明人刘召军张靖扬

(74)专利代理机构深圳市惠邦知识产权代理事

务所44271

专利代理师满群

(51)Int.Cl.

H10D8/00(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页说明书7

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