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碳化硅功率器件封装热管理技术突破

一、引言

随着新能源汽车、光伏储能、轨道交通等领域对电力电子系统功率密度与效率要求的不断提升，碳化硅（SiC）功率器件凭借其高击穿电场、高导热率、高工作温度与低开关损耗等显著优势，逐渐成为替代传统硅基器件的核心选择。相比硅基器件，碳化硅器件的工作结温可达到175℃以上，部分甚至能突破200℃，这为系统集成度的提升提供了空间，但同时也对封装热管理提出了更为严苛的挑战。研究表明，封装热阻占碳化硅器件总热阻的比例超过60%，是制约其性能充分发挥的关键瓶颈（中国电子科技集团公司第五十八研究所，2020）。传统的封装热管理技术基于硅基器件的需求设计，在适配碳化硅器件的高温、高功率密度特性时，暴露出界面热阻过高、散热材料适配性不足、结构设计不合理等问题。近年来，国内外科研机构与企业围绕碳化硅功率器件封装热管理展开了大量研究，在材料体系、结构设计、系统协同等多个层面实现了突破性进展，为碳化硅器件的大规模商业化应用奠定了坚实基础。

二、传统碳化硅封装热管理的技术瓶颈

（一）封装界面热阻过高，热量传导路径受阻

碳化硅器件的热量从芯片有源区导出，需要经过芯片与基板之间的键合层、基板、基板与散热片之间的界面层等多个环节，每个界面都存在热阻，其中键合层与基板界面的热阻占比最大。传统封装中常采用锡基焊料作为键合材料，但其热导率仅为50W/(m·K)左右，且在碳化硅器件的高温