6英寸及以上导电型 半绝缘碳化硅衬底的缺陷控制、产能扩张与在新能源汽车、光伏逆变器中的应用前景.docx

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6英寸及以上导电型/半绝缘碳化硅衬底的缺陷控制、产能扩张与在新能源汽车、光伏逆变器中的应用前景

摘要

本报告聚焦第三代半导体材料中的碳化硅（SiC）衬底领域，重点研究6英寸及以上导电型与半绝缘衬底的缺陷控制技术、产能扩张路径及其在下游新能源汽车与光伏逆变器中的应用前景。研究范围覆盖全球主要市场，时间跨度以2020-2028年为基准，地理覆盖包括中国、美国、欧洲及日本等核心区域。

报告核心发现：全球SiC衬底市场正处于从4英寸向6英寸全面过渡、8英寸技术攻坚的关键转折期。2023年全球SiC衬底市场规模约7.5亿美元，预计2028年将突破25亿美元，年复合增长率超过27%。缺陷