CN119521745A 一种射频GaN HEMT器件的栅极制备方法 (上海华虹宏力半导体制造有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-24 发布于重庆
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CN119521745A 一种射频GaN HEMT器件的栅极制备方法 (上海华虹宏力半导体制造有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521745A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202411630668.4

(22)申请日2024.11.15

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

地址201203上海市浦东新区自由贸易试

验区祖冲之路1399号

(72)发明人孙鹏

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师王关根

(51)Int.Cl.

H10D64/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

权利要求书

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