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芯片笔试题及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在CMOS反相器中，当输入电压V_in处于低阈值电压(V_th)和栅极绝缘层击穿电压(V_gd)之间时，晶体管的工作状态通常是：

A.PMOS导通，NMOS截止

B.PMOS截止，NMOS导通

C.PMOS和NMOS均导通

D.PMOS和NMOS均截止

2.对于一个N沟道增强型MOSFET，其开启电压(V_th)定义为：

A.使晶体管进入饱和区的最小栅极电压

B.使晶体管进入线性区的最小栅极电压

C.栅源电压V_gs等于零时的漏源电流ID

D.栅极与源极之间能够可靠隔离的最大电压

3.在数字逻辑设计中，以下哪项描述了“与门”和“或门”的互补性质？

A.与门的输出是输入的累积，或门的输出是输入的否定

B.与门的输出是输入的否定，或门的输出是输入的累积

C.与门和或门的输出总是相反

D.与门和或门的输入数量必须相等

4.在双极结型晶体管(BJT)中，基极电流IB的增大通常会导致：

A.集电极电流IC线性减小

B.集电极电流IC非线性增大

C.发射极电流IE保持不变

D.基极-