第七代HEXFET功率MOSFET技术手册.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约8.49万字
  • 约 16页
  • 2026-08-28 发布于北京
  • 举报

PD

‑91896E

IRF1404

®

HEXFETPowerMOSFET

先进工艺技术超低导通电阻

D

动态dv/dt额定值175°C工作V=40V

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档