CN119133139A 高密度衬底叠层封装结构和封装方法 (甬矽半导体(宁波)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-28 发布于重庆
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CN119133139A 高密度衬底叠层封装结构和封装方法 (甬矽半导体(宁波)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119133139A

(43)申请公布日2024.12.13

(21)申请号202411604387.1

(22)申请日2024.11.12

(71)申请人甬矽半导体(宁波)有限公司

地址315400浙江省宁波市余姚市中意宁

波生态园滨海大道60号

申请人中国科学院微电子研究所

(72)发明人何正鸿戴风伟简志宏田旭

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师张洋

(51)Int.Cl.

H01L23/498(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

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