CN119186275A 一种低温烧结非对称多孔碳化硅陶瓷膜分离层及其制备方法 (南京工大膜应用技术研究所有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-31 发布于重庆
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CN119186275A 一种低温烧结非对称多孔碳化硅陶瓷膜分离层及其制备方法 (南京工大膜应用技术研究所有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119186275A

(43)申请公布日2024.12.27

(21)申请号202411596236.6

(22)申请日2024.11.11

(71)申请人南京工大膜应用技术研究所有限公

地址211800江苏省南京市江北新区产业

技术研创园园思路1号

申请人南京工业大学苏州未来膜技术创新

中心

南京工业大学

(72)发明人王姚周剑张荟钦古其林

李卫星邢卫红

(51)Int.Cl.

B01D69/02(2006.01)

B01D69/10(2006.01)

B01D71/02(2006.01)

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