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通过掺杂高导热纳米材料（如氮化硼）来调节光刻胶局部热导率，以改善曝光过程中的热管理或后续工艺的添加剂探索

摘要

本报告聚焦半导体制造关键材料——光刻胶热导率调节剂这一前沿细分领域，系统研究通过掺杂氮化硼等高导热纳米材料来主动调控光刻胶膜热性质的技术路径与产业化前景。研究范围覆盖光刻工艺热效应机理、材料改性方案、产业链适配性及市场竞争格局。

核心发现表明，随着极紫外（EUV）光刻和高数值孔径深紫外（DUV）光刻技术的推进，曝光过程中的局部热积累已成为影响图案精度与工艺良率的隐性瓶颈。传统被动散热方案难以满足3纳米及以下节点的热管理需求。通过向光刻胶基体中引入功能化氮化硼纳米片（