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北京理工大学模拟电路试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、单项选择题（本大题共10小题，每小题2分，共20分）

1.在本征半导体中掺入五价元素（如磷）后，半导体将呈现（）特性。

A.变为绝缘体

B.P型半导体

C.N型半导体

D.本征半导体

2.当晶体管（BJT）工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态应为（）。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结反偏，集电结反偏

C.发射结正偏，集电结反偏

D.发射结反偏，集电结正偏

3.某场效应管（FET）的转移特性曲线显示，当VGS=0时，存在漏极电流ID，且随着VGS减小（绝对值增大），ID减小。则该场效应管为（）。

A.增强型N沟道MOSFET

B.耗尽型N沟道MOSFET

C.增强型P沟道MOSFET

D.耗尽型P沟道MOSFET

4.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是（），电压放大倍数最小（约等于1）的是（）。

A.共射电路，共基电路

B.共集电路，共集电路

C.共基电路，共集电路

D.共集电路，共基电路

5.工作在恒流区的耗尽型N沟道MOSFET，其漏极电流ID与栅源电压VGS的关系满足（）。

A.ID=IDSS

B.ID=IDSS(1-VGS/VP)2

C.ID