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模电考研《模拟电子技术基础》童诗白考研真题

第一部分考研真题精选

一、选择题

1以下说法正确的（）。［中山大学2018研］

A.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体

B.因为N型半导体的多子自由电子,所以它带负电

C.处于放大状态的晶体管，集电极电流多子漂移运动形成的

D.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小

【答案】A查看答案

【解析】B项，N型半导体虽然多子自由电子，但不带电；C项，放大状

态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动,而非多子；D项，若耗尽型N沟道

MOS管的UGS大于零,其输入电阻并不会有明显变化。

2当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将（\

［中山大学2018研］

A.增大

B,不变

C.变小