2026年电子技术应用竞赛模拟试题及解析模拟试卷.docxVIP

2026年电子技术应用竞赛模拟试题及解析模拟试卷

单项选择题（每题3分，共30分）

某车载OBC车载充电机项目设计中，需要工作在开关频率150kHz、额定电压650V的功率开关器件，下列选型中最优的是（）

A.650VSiMOSFETB.1200VIGBTC.650VSiCMOSFETD.100VGaNHEMT

解析：正确答案为C。SiC属于宽禁带半导体材料，临界击穿电场是硅材料的10倍，650V等级SiCMOSFET的导通电阻远低于同电压等级SiMOSFET，开关损耗仅为硅基器件的1/31/5，适配100kHz1MHz频段的中高压应用场景，本题参数完全符合需求。A选项，650V等级SiMOSFET导通电阻随电压升高呈指数增长，150kHz下开关损耗过高，整机效率低于90%，无法满足车载充电机的效率要求；B选项，IGBT存在拖尾电流，开关速度低，150kHz下开关损耗是SiCMOSFET的3倍以上，不适用高频场景；D选项，100V电压等级低于系统需求，会出现过压击穿故障，因此排除。

2.某高精度温度采集电路中，采用三运放仪用放大器结构设计，已知第一级两个运放的固定电阻R1=R2=10kΩ，增益调节电阻

解析：正确答案为B。三运放仪用放大器的电压增益公式为Av=(1+2R1Rg)×

A.采用集成5V转3.3V电平转换芯片B.直接连接FPG