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APM2030ND N沟道MOSFET特性与应用指南.pdfVIP

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  • 2026-09-03 发布于北京
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APM2030ND N沟道MOSFET特性与应用指南.pdf

    APM2030ND

    N沟道增强型MOSFET

    特性引脚描述

    •20V/6A

    ，RDS(ON)=28m(典型值)

    @

    VGS=4.5V

    RDS(ON)=38m(典型值)

    @

    VGS=2.

    5V

    密度单元设计

    可靠且坚固的无铅GD

    S

    设计（符合RoHS）

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    •SOT‑89的顶部视图

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