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30V N沟道MOSFET技术规格与应用.pdfVIP

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  • 2026-09-03 发布于北京
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30V N沟道MOSFET技术规格与应用.pdf

    2013年5月

    FDS8813NZ

    n沟道

    PowerTrench®

    MOSFET

    30V，

    18.5A，4.5mΩ

    特性一般描述

    =10该N沟道MOSFET采用Fairchild

    Semiconductor先进的

    最大

    rDS(on)

    4.5mΩ在

    VGS

    V，ID

    =18.5A最大

    =4PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化以最度降低导通电

    rDS(on)

    6.0mΩ在

    VGS

    .5V，ID

    =16AHBM

    ESD

    保护

    等级典型值

    5.6KV（注3）高性能沟槽技术实现极低

    阻。

    rDS(on)高功率和大电流处理能力符合

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