高性能沟道MOSFET器件特性分析.pdfVIP

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2013年3月

FQP13N10LN沟道QFET®

MOSFET

100

V,12.8

A,180

m

描述特性

这款N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild

•12.8

A,100

V,RDS(导通)

=180m(最大值)

Semiconductor®专有的平面条纹和DMOS技术制造。该先@VGS

=10V,ID

=6.4

A

进MOSFET技术特别针对降低导通电阻、卓越的开关性•低栅极电荷(典型值8.7

nC)

能和高雪崩能量强度进行了优化。这些器件适用于开关模式

•低Crss(典型值20

pF)

电源、音频放大器、

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