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- 2026-09-03 发布于北京
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2013年3月
FQP13N10LN沟道QFET®
MOSFET
100
V,12.8
A,180
m
描述特性
这款N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild
•12.8
A,100
V,RDS(导通)
=180m(最大值)
Semiconductor®专有的平面条纹和DMOS技术制造。该先@VGS
=10V,ID
=6.4
A
进MOSFET技术特别针对降低导通电阻、卓越的开关性•低栅极电荷(典型值8.7
nC)
能和高雪崩能量强度进行了优化。这些器件适用于开关模式
•低Crss(典型值20
pF)
电源、音频放大器、
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