2026年薄膜材料与技术材料加工工程试卷含
解析
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较低的沉积速率通常更有利于原子在界面处的扩散和键合形成更牢固的结合解释机制慢速沉积时原子有更充分的时间进行迁移和定位减少界面处的缺陷和应力集中气压与等离子体对于PVD和CVD技术控制好反应气压和等离子体数如离子束能量辅助等离子体功率可以调节
一、选择题(每题2分,共20分。下列每小题备选答案中,只有一项是符合题
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