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- 2026-09-03 发布于四川
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1半导体物理基础1.23.2电离杂质散射
1.1禁带宽度
1.16载流子浓度的另一种表达方式
1.2有效质量
1.23.3声学波散射
1.3准动量公式
1.17只含一种施主杂质的n型半导体电中性条件
1.4施主电离能:弱束缚的电子摆脱杂质原子束缚成
为晶格中自由运动的电子(导带中的电子)所需
要的能量。
1.5受主电离能:空穴摆脱受主杂质束缚成为导电空
穴所需要的能量。
1.23.4晶格散射
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