Infineon 英飞凌 技术手册 AIKB40N65DF5.pdf

英飞凌AIKB40N65DF5650V175°C高速开关IGBT

英飞凌第五代高速开关系列

采用TRENCHSTOPTM5技术的高速快开关IGBT,

与RAPID1快速软恢复反并联二极管共封装

特征和优点:

高速F5技术提供:

•硬开关和谐振拓扑中的行业领先效率

•650V击穿电压

•低栅极电荷QG

•IGBT与RAPID1快速软恢复反并联二极管共封装

•最高结温175°C

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