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低压小电流沟道场效应晶体管特性概述.pdfVIP

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  • 2026-09-04 发布于北京
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低压小电流沟道场效应晶体管特性概述.pdf

    1995年4月

    N

    BS170

    /

    MMBF170

    N沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些N沟道增强型场效应晶体管DS(ON)

    度单元设计实现低R。

    采用国家的专利技术生产，具备高单元密度、

    DMOS工艺制造。这些产品旨在最度降低导通电阻，同时具备坚固耐用、电压控制型小信号开关。

    坚固可靠。

    快速开关性能，它们适用于大多数

    需要高达500mA直流电流的应用场景。这些产品特别适用于低压、高饱和电流能力。

    小电流应用，例

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