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GB-T 48164.2-2026-半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法标准研究报告.docx

GB-T 48164.2-2026-半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法标准研究报告.docx

    半导体器件碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）可靠性试验方法第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法（GB/T48164.2-2026）标准化发展报告

    SemiconductorDevices—ReliabilityTestMethodforSiliconCarbideMetal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistors(SiCMOSFET)—Part2:TestMethodforBipolarDegradationDuetoBodyDiodeOperation

    摘要

    碳化硅

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