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GB-T 48170-2026-用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南标准研究报告.docx

GB-T 48170-2026-用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南标准研究报告.docx

    用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）动态导通电阻测试方法指南（GB/T48170-2026）标准化发展报告

    EnglishTitle

    StandardizationDevelopmentReportonGuidelinesforDynamicOn-resistanceTestMethodsforGalliumNitrideHighElectronMobilityTransistor(GaNHEMT)BasedPowerConversionDevices(GB/T48170-2026)

    摘要

    随着第三代半导体技术的迅猛发展

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