激光器外延芯片用砷化镓衬底 标准立项发展报告.docx

激光器外延芯片用砷化镓衬底标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Galliumarsenidesubstratesforlaserepitaxialchips

摘要：随着光通信、3D传感、激光雷达及人工智能算力基础设施的快速发展，以砷化镓（GaAs）为衬底的外延芯片成为半导体激光器、高电子迁移率晶体管（HEMT）及垂直腔面发射激光器（VCSEL）的核心制造基础。GB/T47901-2026《激光器外延芯片用砷化镓衬底》（以下简称本标准）作为我国半导体材料领域的一项重要推荐性国家标准，于2026年正式发布，并将于2027年2月1