电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评估指南 标准立项发展报告.docx

电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评估指南标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Guidelineforevaluatingbiastemperatureinstabilityofsiliconcarbidemetal-oxide-semiconductordevicesforpowerelectronicconversion

摘要

随着以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料在电力电子转换领域的大规模应用，SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的耐高压、高频和高温特性，已成为新一代高效电能变换装备的核心器件。然而，偏置温度不稳定性（BiasTemperatureInstability,BTI）作为影响器件长期可靠性的关键退化机制，其评估方法和标准体系尚不完善，严重制约了SiCMOSFET在新能源发电、智能电网、电动汽车等对可靠性要求极高的场景中的推广应用。本报告针对IEC63601-2026《电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏置温度不稳定性评估指南》的立项背景、技术内容、制定过程及行业意义进行了全面阐述。报告深入分析了SiCMOSFET与传统硅器件在BTI退化机理上的本质差异，系统介绍了该国际标准所规定的测试条件、测量流程、参数提取及数